目前认为LED光衰(LED droop)是由俄歇复合(Auger recombination)引起的。应用物理杂志上的一篇文章认为——在氮基（GaN）LED中，这些非直接过程主要由俄歇复合引起。文章的第一作者是加州大学圣巴巴拉分校的博士后研究员Emmanouil Kioupakis，本文其他作者包括在德国Fritz Haber研究院工作的Van de Walle, Patrick Rinke，加州大学圣巴巴拉分校的Kris DELaney。俄歇复合是一种在LED照明中发生的，三个带电粒子互相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显著。这一发现使得在以往理论研究中，用直接俄歇过程预测LED光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。一般认为，因为俄歇效应是内形成机制，所以LED光衰不可消除，但可以最小化。用更宽的量子阱，并在非极化或者半极化的方向生长器件,可以降低载流子密度。根据多年实践分析，温度是影响LED光衰发生的重要促进条件，如果能够降低LED结温就可以延缓LED光衰的发生，这是已经经过反复试验验证的结论，因此降低温度成为延长LED灯寿命的重要方法。LED光衰理论对于LED芯片生产带来新的思路，工艺的改进与新技术的应用在现阶段变得十分活跃，LED公司一旦有新的专利诞生，这个专利如果可以解决LED光衰问题，那么将会使LED公司在市场上获得先机，甚至于坐享其成。