摘要：采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN—
LED芯片，对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN．LED器件进行可靠性试验。对比分析表明，
外延晶片中的微缺陷与器件可靠性的关系密切；减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED
器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方
法，为GaN．LED外延材料生长工艺的优化和改善提供依据，达到预测和提高器件可靠性的目的。
关键词：发光二极管；金属有机气相外延；回摆曲线；缺陷；可靠性

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