本文描述了针对LED照明的高功率因数反激式转换器，可实现所有这些特性并且能够使用基于可控硅（TRIAC）的标准调光器来进行调光。
I. 反激基础
对于最高约100W的隔离电源，反激式拓扑已被广为接受，因为它相对简单，构成元件少，具有成本效益优势且性能合理。借助飞兆LED照明应用手册AN-4137，其基本工作原理简单并易于解释。当MOSFET Q1导通时，变压器T1初级端中的电流线性斜升，建立了一个储存能量的磁场，变压器绕组的极性点显示极性满足条件以致次级端整流器DRect在此期间关断。一旦MOSFET断开，根据楞次定律(Lenz's law)，跨越变压器的所有电压的极性反转。DRect现在开始导通且储存在T1中的能量传送到电容器CFilt中。PWM控制器的占空比(Duty cycle)和变压器圈比一起决定输出电压，其在隔离反馈网络的帮助下是稳定的。因为初级和次级之间的不完全耦合，即漏电感的存在，网络DCL、CCL 和RCL钳位电压突升。这对于减少Q1的电压应力是重要的，但同时也是功率损耗的一个来源，因为RCL中的能量被消耗了。
图1. 基于反激式工作的SMPS简化原理图
通常情况下，开关电源能够以两种不同的模式工作：不连续导通模式(discontinuous conduction mode ，DCM)，MOSFET仅在二极管DRec中的电流下降到零后导通；以及连续导通模式(continuous conduction mode，CCM)，其在仍有电流流过DRect时导通。有时会提到第三种模式：转换或临界导通模式(boundary conduction mode ，BCM)，在二极管电流为零后，MOSFET总是立即导通。顾名思义，此模式介于DCM 和CCM模式之间。
II. 准谐振工作
反激式转换器到目前为止就是一个所谓的硬开关转换器。其意思是在漏电流较高时MOSFET断开，在漏电压较高其接通。因为在每个开关周期里，下降/上升电流和上升/下降电压交迭，它们的结果是不可忽略的，每次转换有相当大的称作开关损耗的功率损耗。在一个DCM反激中，在MOSFET导通时无电流流过，但MOSFET的固有电容CDS必须放电，并且储存在此电容中的能量必须消耗。如果还记得，储存的能量为0.5xCDSxVDS2，很显然，以尽可能低的VDS 接通MOSFET是有利的。