高亮发光二极管(High brightness light emitting diodes，HBLED)综合具备了高输出、高效率和长寿命等优势。图1示出了典型的二极管的电I-V特性曲线。虽然一个完整的测试程序可以包括数百个点，但对一个有限的样本的探查一般就足以提供优值。许多HBLED测试需要以一个已知的电流信号源驱动器件并相应测量其电压，或者反过来。同时具备了可同步动作的信号源和测量功能可以加速系统的设置并提升吞吐率。测试可以在管芯层次(圆片和封装)或者模块/子组件水平上进行。在模块/子组件水平上，HBLED可以采取串联和/或并联方式;于是一般需要使用更高的电流，有时达50A或者更高，具体则取决于实际应用。有些管芯级的测试所用的电流在5～10A的范围内，具体取决于管芯的尺寸。

　　图1 典型的HBLED DC I-V曲线和测试点(未按比例绘出)
　　1 正向电压测试
　　要理解新的结构单元材料，如石墨烯、碳纳米管、硅纳米线或者量子点，在未来的电子器件中是如何发挥其功效的，就必须采用那些能在很宽范围上测量电阻、电阻率、迁移率和电导率的计测手段。这常常需要对极低的电流和电压进行测量。对于那些力图开发这些下一代材料并使之商业化的工程师而言，在纳米尺度上进行精确的、可重复的测量的能力显得极为重要。