在本周于旧金山召开的英特尔开发者大会（IDF）中，英特尔将再揭示其采用三栅极（tri-gate）3D晶体管技术的22nm元件细节，并进一步说明超轻薄笔电（Ultrabook）的超薄、超低功耗设计概念。
　　今年五月，英特尔初步揭示了22nm工艺技术，它采用了众所期盼的3D晶体管设计──称之为三栅极──自2002年起英特尔便一直就该技术进行开发。而在本周的IDF中，英特尔预计将公布更多有关首款22nm芯片的细节，该芯片预计今年底可进入量产。
　　英特尔副总裁暨小笔电及平板开发部总裁Steven Smith表示，该公司将提供更多22nm微架构和工艺技术的细节，并进一步探讨有益于终端消费者的技术。据表示，这种技术相较于英特尔的32nm处理器，能将能耗降低50%以上。另外，Smith表示，英特尔也将就作为一家整合元件制造商（IDM），与其他无晶圆厂和轻晶圆厂等对手的竞争态势进行讨论。
　　英特尔资深院士暨制造部技术总监Mark Bohr将深入探索该公司的22nm三栅极晶体管，他将谈及这种新技术如何为从高性能服务器到低功耗智能手机等产品线提供省电优势。
　　随后，Ivy Bridge互连暨整合团队的资深首席工程师暨首席架构师Varghese George，以及英特尔资深院士暨绘图架构总监Thomas Piazza，将介绍Ivy Bridge微架构。他们将深入探讨Ivy Bridge设计的关键要素，以及揭露英特尔的22nm工艺技术如何制造该元件的细节。
　　Atom、Ultrabooks及其他关键技术