在逆变器和转换器等电力转换器使用的功率元件中，GaN有望比现有的Si大幅降低电力损耗。在Si制功率元件的性能提高正逐渐趋于极限的情况下，采用GaN的功率元件研发越来越活跃。不过，完结这种情况的新型Si制功率元件亮相了。这就是美国ICEMOS Technology与欧姆龙开发的Super Junction构造的Si制MOSFET（以下简称SJ-MOSFET）。耐压为600～650V的产品已从2011年8月开始量产。
　　ICEMOS等公司开发的SJ-MOSFET的特点是，导通电阻与栅极漏极间电荷量（Qgd）的乘积FOM（Figure of Merit，质量因子）较小。耐压为650V的“ICE20N65”的FOM约为900mΩ·nC，与GaN类功率元件试制品基本相同（表1）。在电力转换器等产品中，导通电阻越低越容易降低导通时的损耗，Qgd越小越容易降低开关损耗。也就是说，FOM越小越有利于降低电力损耗。

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