LED的发光源是由所谓的III-V化合物所构成，即大家熟知的磊晶晶粒(chip)，该固态化合物本身性质很安定，在产品所规范的条件下使用并不易损坏，而处于一般的应用环境中也不起化学反应，因此拥有较长的产品寿命。然而，为使该LED chip发光，必须由外界通入电流，因此一般会把尺寸很小的chip黏贴在特定的载台(或称导线架)上并以金属线或銲锡等材料连接chip的正负两极，然后用高分子材料包复整个载台，这就是所谓的封装制程，经过这段制程后成为市面上常见一颗颗的LED灯粒。在实际应用时，还会视所需把数颗LED灯粒组装成模组，最后再与其它功能的模组组合成为终端产品。
　　从上可知，一个LED产品的失效，起因可能来自于该产品的任何一个部份，故必须抽丝剥茧方能找到真正的失效原因。针对失效来自LED灯粒而言，因完整的LED灯粒中，LED chip本身很强壮，但包复chip的封装材料则易遭受损伤，因此，LED灯粒的失效多可归因于封装材料的破坏或劣化所导致。若要充分解析这类失效，牵涉到光学、化学、材料学、电子物理学等领域的专业知识，并搭配精密的仪器与丰富的实务经验，才能确认失效点并推导真因，进而提出改善对策。
　　1. 不亮：这种失效是指LED通电后完全不发光。一般而言，导电路径上的 ”断路(open)＂是本类失效的主因之一，确认断路的方法也十分简易，以常见的三用电表就可验证。不过，要找到断路点就必须做进一步的解析，例如：可用X-ray来确认打线是否断线或脱离、用SEM(扫瞄式电子显微镜)观察剖面结构可检查黏晶部份的缺陷等等。本类失效的第二个主因是 ”短路(short)” ，这是因为电流未确实通过LED chip，而是流经”旁门左道”，故LED灯粒自然不会发光，如：因发生电子迁移导致电极金属原子的不正常扩散，譬如氧化铟锡(ITO)、银或是GaN/InGaN二极管中的阻挡层金属等都可能因机械应力、高电流密度或在腐蚀性的环境发生此类异状。其它的原因可能是打线偏移、黏晶胶爬胶等等。这种失效必须利用I-V curve(电流-电压图)才能判定，至于失效点因为从外观无法检查到上述缺陷，故需先以X-ray来确认；或是化学溶液去除LED封装材料后，再使用光学(OM)或电子显微镜(SEM)仔细检查。
短路爬胶 开路断线