技术突破：LED芯片抗反向静电能力达到3 kV
韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3 kV。来自韩国光技术院(KOPTI) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种LED芯片加工简便，可靠性高。” 研究人员一直试图提高目前100V-1kV的抗反向静电能力。而正向静电的恢复性在1kV至3kV的范围有所下降。这种器件往往应用于交通信号灯、大规模显示以及液晶显示器背光。 正向偏压和反偏压的特性差异在于外延材料以及侧面器件结构存在的高位错密度差。其中侧面器件是生长在绝缘蓝宝石衬底中的标准氮化LEDs所必需的。这两种相反的特性容易引起大量反向ESD电压脉冲进而损坏LED。 研究人员已经采用了一些方法来避免器件受到这样的损害---包括降低密度缺陷、外部二极管等。但是，很难以低成本将这些技术应用于真正的生产过程中。 研究人员采用了传统的In0.15Ga0.85N/GaN MQW 450nm（蓝色）LED架构，使其在MOCVD设备的c-plane 蓝宝石中生长。这种LED通过光刻法和ICP蚀刻到n型外延生长层。铟锡氧化物（ITO）LED芯片中相当于透明欧姆电极，而接合焊盘由金镍铬锡合金组成。 研究人员通过将n极的触点延长至p区域（见图1），使旁路二极管集成到LED，以实现LED芯片的ESD保护。n极与p-GaN之间用氧等离子处理会使得肖特基势垒升高；这样做的目的在于减少反向ESD产生的反向漏电流。因为大泄漏电流容易损害n极从而降低器件的性能。
图1：（a）放大n极LED的剖视图和电路原理图；俯视图（b）传统的（LED-C），没有n极的梳状LED-F3以及LED-F5，（c）等离子处理得到的梳状（LED-F3-P 和 LED-F5-P）。（c）中的阴影区域即等离子处理区域。
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