AZZURRO半导体成立于2003年，具有专利的大直径硅基板氮化镓(GaN-on-Si)技术，该技术源自德国Magdeburg大学，在2010年10月获得包括Wellington Partners、Good Energies和Emerald等4家创投业者共1,500万欧元的资金投入后，已正式在德烈斯登(Dresden)设立公司与产能，开始投入量产。　　AZZURRO目前有2台MOCVD(有机金属化学气相沉积法)机台，将于2011年10月完成量产设置，预计能达到每月1,400片150mm(6吋)晶圆的出货量。未来仍将持续扩充产能，规划2013年达到每月1万片晶圆，以及2015年达到2.7万片晶圆的产能。

注：运用AZZURRO的专利应力控制技术，能准确控制硅基板上GaN薄膜的曲度。（点击放大）

　　LED是一个成长快速的市场，市场规模超过110亿美元，不管是电视、笔电和行动装置用的背光设计，或是固态照明应用，都是各家业者所看好的商机所在，也吸引了众多业者投入，市场竞争非常激烈。
　　目前LED产业仍是以50mm(2吋)或100mm(4吋)的蓝宝石基板为基础，若能利用大直径的硅基板氮化镓(GaN-on-Si)技术，便有可能充分发挥现有硅晶生态系统的完备技术与规模经济效益，达到降低整体LED成本的目标。若比较现行150mm(6吋)蓝宝石基板和运用AZZURRO专利GaN-on-Si技术的150 mm(6吋)晶圆，可达到超过75%原料的成本节省。
　　虽然GaN-on-Si具显著的成本优势，但由于技术上的困难度，因此一直未能在LED业界广泛应用。主要问题在于，由于硅基板和GaN的热膨胀系数不同，在制程中会因为两种材质间的晶格错位而产生应力，进而形成曲度(bow)和薄膜厚度不均的问题。