美国风险企业InVisage Technologies公开了采用硅量子点的图像传感器技术。据介绍，采用这种该公司称为“QuantumFilm”的技术，外部量子效率可提高到90~95%,与此前的CMOS图像传感器相比，光检测能力可提高到1.5~2倍左右。该公司总裁兼首席执行官JessLee表示，“我们认为，要促使基于半导体技术的图像传感器领域发展，较为理想的做法是以全新的思维重新开发”.Lee以前曾在美国知名图像传感器企业豪威科技（OmniVisionTechnologies）担任过副总裁。

 

 

　　InVisage公司首席执行官JessLee.







　　作为采用QuantumFilm技术的首款产品，InVisage比较关注手机用图像传感器市场。预定2010年第四季度开始样品供货。2011年中期开始量产。



　　终端厂商可像迄今的图像传感器一样使用InVisage的图像传感器。目前尚未公开产品化初期时图像传感器的功能及价格等详情。关于价格，该公司的目标是实现“价格与市售的500~800万像素产品相同，而性能却远远高于原产品”（Lee）。



　　特点是在半导体上形成硅量子点薄膜

 

 

该公司QuantumFilm技术的概要。左为以往图像传感器采用的技术。右侧为QuantumFilm技术。



　　



　　InVisage开发的QuantumFilm技术，需要在普通的CMOS层上形成0.5μm厚的膜。这种膜上嵌有2~5nm直径的硅量子点。这种薄膜可进行光检测，还可将转换为数字数据的信息转送至膜下面的半导体层。另外，此次未公开膜使用的材料。据介绍，硅量子点膜没有使用违反RoHS指令的物质。

 

 

采用InVisage公司QuantumFilm技术的图像传感器。在半导体芯片上形成了该公司制成的薄膜。



　　



　　Lee表示，普通的CMOS图像传感器，进行光检测的硅层外部量子效率约为50%.并且，光照射到硅层之前需要经过彩色滤光片和金属层，所以光量会减少50%左右。因此，“为了提高光检测能力，原来的CMOS图像传感器厂商会采用背面照射技术，或导入65nm工艺等最尖端制造技术。而我们的方法是对膜下层的硅半导体使用8英寸晶圆的110nm工艺”（Lee）。

 

 

该公司总部的测试生产线采用的蒸镀装置，用于在半导体上形成QuantumFilm.



　　



　　据介绍，InVisage的图像传感器制造工艺，采用可追加到普通半导体生产线上的装置，并在CMOS层上形成硅量子点膜。该公司将图像传感器的生产委托给了台湾台积电（TaiwanSemiconductor Manufacturing）。



　　除了图像传感器领域以外，InVisage还称，正在考虑将其技术应用于太阳能电池及显示器领域。