丰田中央研究所和三垦电气分别利用以称为“NaFlux法”的结晶成长法制成的GaN底板，试制出了GaN类肖特基势垒（SBD）。试制品已在2010年2月17~19日于东京有明国际会展中心举行的“NanoTech2010国际纳米技术综合展·技术会议”上展出。GaN底板是由大阪大学研究生院工学研究科教授森勇介等人的研究小组试制的。虽然以NaFlux法制成的GaN底板已经展出过，但利用该底板的GaN类元件是首次展出。



　　NaFlux法是将氮气（N2）喷到钙（Ga）和钠（Na）的混合溶液中，令氮（N）溶解制成GaN结晶。大阪大学等的研究小组将用HVPE法制成的GaN结晶用作基础底板。特点是结晶成长越厚，错位越会大幅减少。另外，NaFlux法最初是由日本东北大学多元物质科学研究所教授山根久典开发的。



　　三垦电气现场演示了将试制的SBD用作驱动电路，并实际点亮了LED（图1）。据称与在LED的驱动电路中采用普通硅制FRD（快恢复二极管，FastRecoveryDiode）时相比，LED驱动电路的效率提高了两个百分点以上（图2）。另一方面，丰田中央研究所试制了耐压为1kV的SBD.此次展出了试制品的说明展板（图3）。



 

图1:演示点亮LED.在照片右侧的底板上形成了LED驱动电路。

 

 

图2:LED驱动电路的效率比较



　　

图3:试制SBD的耐压特性

　　



　　首次展出4英寸底板



　　此外，在会场上展出的还有以NaFlux法制成的GaN底板。展出的产品以口径为2英寸和4英寸为主（图4,5）。大阪大学的森勇介指出，“此次是首次展出4英寸产品”.



 

　　图4:以NaFlux法试制的2英寸GaN底板

 

 

　　图5:以NaFlux法试制的4英寸GaN底板

 



　　GaN底板目前正在进行面向实用化的研究开发，首先以LED用途2英寸品的实用化为目标。因设想会利用GaN底板制作蓝色，所以考虑提高蓝色波长带中的光穿透率。另一个目标是降低电阻率。



　　关于成本方面，以4英寸产品实现3万日元的价格是一个目标。在LED领域实用化后，下一个目标是功率元件的采用。