罗姆在2009年12月17~18日举行的“第18届SiC及宽带隙半导体研究会”上，公布了其正在进行的SiC制MOSFET以及SiC功率模块等的开发情况。

　　此次发布的是DMOS和沟道型MOSFET.DMOS已经分别开发出了耐压600V、900V以及1200V的产品。室温下导通电阻为5~8mΩcm-2.输出电流方面，大小为4.8mm×2.4mm的芯片可输出20A的电流。4.8mm见方的芯片可输出40A的电流。

　　沟道型MOSFET是面向大电流化的产品，已经试制出了可输出100A电流的3mm见方芯片。耐压为900V,导通电阻约为3mΩcm-2.还开发出了4.8mm见方、输出电流为300A的产品，导通电阻为2.6mΩcm-2。

　　除了MOSFET外，罗姆还介绍了以SiC制功率元件构成的功率模块。罗姆已从2009年10月开始样品提供1200V、100A的功率模块。模块的大小为96mm×76mm×15.6mm。

　　另外，现在罗姆正在日本福冈的3英寸底板生产线上少量生产SiC制SBD和MOSFET。