台积电（TSMC）新推出模组化BCD （Bipolar, CMOS DMOS）制程，将可为客户生产高电压之整合驱动积体电路产品。新制程提供12V~60V的工作电压范围，可支援多种LED的应用，包括：LCD平面显示器的、LED显示器、一般与车用照明等。

　　新的制程横跨0.6微米至0.18微米等多个世代，并有数个数位核心模组可供选择，适合不同的数位控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttle共乘试制服务，支援0.25微米与0.18微米制程的初步功能验证。

　　藉着新制程所提供的多项整合特色，可减少系统产品的物料清单。不只强固的高电压DMOS提供MOSFET开关整合，降低零组件数目外，其他可被整合的零组件还包括：高电压双载子电晶体、高电压/高精密电容器、高电阻多晶矽齐纳二极体（Zener diode）等，也可降低外部零组件数，并显着地缩小电路板的面积。

　　DMOS制程支援专业积体电路制造中领先的汲极至源极导通电阻（Rdson）效能（例如：对一特定的60V NLDMOS元件，当BV>80V时，其Rdson为72mohm-mm2）以及其高电流驱动能力，可藉由元件尺寸的最佳化来提 功率效能；强固的安全操作区域（SOA）也能让功率开关与驱动电路更为理想；更多详细的特性分析亦可作为有用的参考，使IC设计能达到最佳的晶片尺寸及设计预算。

　　在COMS方面，5V工作电压能支援类比脉冲宽度调变器（Pulse Width Modulation controller）的设计，而2.5伏特及1.8伏特的逻辑核心，则通用於较高层次的数位整合。除此之外，与逻辑线路相容、单次写入及多次写入均可的记忆体选项，亦可提供强化的数位程式设计使用。

　　台积电工业电子开发处刘信生处长指出，就驱动元件整合来说，新的LED驱动IC之BCD制程是非常尖端的技术，其相关的制程设计套件（PDKs）强调高度精准的SPICE模型，提供单晶片设计更多的方便性。除此之外，Mismatching Mod可协助提 目前在多通道LED驱动器设计上的精准度。