Applied Materials于日前宣布，STMicroectronics （ST）选用Applied Materials的高k金属栅技术制造其28nm逻辑器件。据悉，Applied Materials的高k金属栅技术将主要被用在制造ST的下一代SOC器件的关键晶体管栅极层中。

　　高k金属栅技术是目前可以延续摩尔定律的前沿技术之一，可在降低器件功率消耗的同时加快运行速度。新型的高K金属栅结构采用了Hf作为高K材料，取代了原有的硅基氧化物，使得栅极电容增大，漏电电流得以控制。

　　“我们非常高兴的看到Applied Materials的高K金属栅技术满足了我们的28nm器件要求。”ST法国Crolles工厂的硅技术研发总监Jo?l Hartmann说，“我们非常有信心通过与Applied Materials的合作，28nm节点的高K金属栅工艺将很快进入量产。”

　　业界在高K金属栅技术上面临的主要挑战是如何使新材料的工艺实现可制造化，并保证电介质层堆叠的完整性。Applied Materials已研发出多重步骤工艺，为ST提供可靠的高K金属栅解决方案。“与ST的合作说明我们的高K金属栅技术已能够成功的应用在逻辑器件中，并展现出良好的性能表现。”Applied Materials的前道工艺与金属淀积产品总经理兼公司副总裁Steve Ghanayem说，“ST选择Applied Materials的产品是我们的技术在富有挑战性的晶体管制造中最好的证明。”