台湾台积电与美国高通（Qualcomm）共同开发出了45nm工艺的自旋转移矩（Spin TransferTorque：STT）方式MRAM。主要用于与低功耗CMOS逻辑电路的混载。据称这是首次开发出与45nm逻辑工艺技术完全兼容的混载用STTMRAM。两公司在美国巴尔的摩举行的半导体制造技术国际会议"2009 IEEE International ectronDevices Meeting（IEDM 2009）"上进行了发布（论文序号：11.6）。



　　为确保开关范围（Switching Margin），采用了反向连接（ReverseConnection）式"1晶体管+1TMR"单元。内存单元面积为0.1026μm²