美国明导科技宣布，基于该公司MicReD部门与德国英飞凌科技Automotive Power Application部门2005年共同发表创意时所提出的半导体封热阻检测方法，已成为JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）标准。该方法主要针对功率半导体及LED等领域，用于散热路径单一的场合。　　相应规格于2010年11月被管理半导体封装热特性评测技术的JEDEC JC15委员会认定为“JESD51-14”标准。该标准命名为：“在热量流过单一路径的半导体器件时，用于检测结（注：器件的结点）－壳（注：封装的外壳）间热阻的双面瞬态检测方法”。
　　此次的标准（以及明导和英飞凌于2005年共同发表的方法）基于MicReD推出的下述技术：
　　（1）静态的瞬态热阻检测技术（已成为JEDEC51-1标准）；
注：使用T3Ster（右上）的热阻检测方法。首先使用T3Ster求出温度的时间分布（左图）。然后使用相关软件将时间分布信息转换为构造函数（右图）。（点击图片放大）
　　（2）利用由该技术获得的时间-温度分布信息导出构造函数（显示热阻-热容关系的函数或图形）。
　　注：构造函数的含义。表示作为对象的已封装器件的热构造。图片由明导提供。（点击图片放大）