IGBT知识

yp9520
发布于 2011-03-26 #标准/认证/安规直接看回复推送文章

IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和双极的特有失效模式，还有混合型特有的失效模式。MOS是静电极敏感器件，因此，IGBT也是静电极敏感型器件，其子器件还应包括静电放电（SED）防护器件。据报道，失效的半导体器件中，由静电放电及相关原因引起的失效，占很大的比例。例如：汽车行业由于失效而要求退货的器件中，其中由静电放电引起的失效就占约30%。本文通过案例和实验，概述IGBT及其子器件的四种失效模式：（1） MOS栅击穿；（2） IGBT——MOS阈值电压漂移；（3） IGBT寿命期内有限次连续短路脉冲冲击的累积损伤；（4）
静电放电保护用高压npn管的硅熔融。