本帖最后由 zjlmhwq 于 2011-3-24 18:06 编辑

以DLC接口及钻铜基材制造大功率的垂直LED

2010年全球LED产值(约百亿美元)几乎追近台积电一年的销售额。许多重量级的大公司( 如台积电、鸿海、友达等 )也将跳进这片光海。然而大陆却早有布局使2012年成为传统LED的总决战(Armageddon)年，而最后获胜的将会是中国。中国不仅掌握市场，更布局近千台的MOCVD机海, 因此可抓住LED的上、中、下游产业。有鑑于此，CREE、晶电、灿圆、新世纪、旭明光电等LED磊晶生产的领头羊已纷纷进驻大陆。美国、日本及台湾LED磊晶公司的生存之道就是把传统的水平LED设计升级成垂直式LED，这样才能在大面积的芯片上加大电流(如单芯片10W)而以一颗LED的生产成本取代多颗的传统LED。
　　垂直LED的制作必需把GaN半导体软銲在低膨胀率的基材上，但偏偏低膨胀率的材料(如矽或GuW)其散热不佳，而高导热材料的热膨胀却远大于GaN(约5.5ppm/mK), 因此LED专家找不到理想的衔接材料。本文推荐以DLC为接口而钻石和铜的复合材料(钻石散热片)为基材制作全世界最先进的垂直LED。这样可以让台湾LED的产业蛙跳超前外国的主导公司(如Nichia, Osram，Lumiled)，也顺势摆脱欧、美、日对台湾的专利封锁。
　　LED的世界革命
　　2010年LED开始大量用于室内照明、户外路灯、及电视背光。室内照明常用的白炽灯(Incandescent Lamp)及萤光灯(Fluorescent Lamp)乃致LCD背光常用的冷阴极管(Cold Cathode Fluorescent Lamp)正在快速被淘汰中。
　　LED的主流产品为白光照明，大部份的白光乃以蓝光的LED激发黄色的萤光粉产生假性的白光。LED的大宗生产乃以蓝宝石为基材外延磊晶生长GaN成为LED的芯片。生长的主要方法为金属有机化学气相沈积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition 或MOCVD) 。 台湾拥有最多台的MOCVD设备，为世界LED晶粒产量第一的guo jia。但大陆已经急起直追，甚至提供每台MOCVD 补助人民币一千万元的优惠奖励 。
　　台湾主要的生产公司（晶电、灿圆、新世记等）都已在大陆设厂。另一方面，台湾光电产品的劲敌韩国（如Samsung）在2010年虽向台湾大量采购LED货源，但自己却也安装了两百多台的MOCVD。所以台湾MOCVD生产的LED其产能在2011年可能过剩，预期即将成无利可图的红海市场。台湾急需开发更高端的产品才能避免金融风暴后DRAM杀价竞争的复辙 (如表一~表四) 。
表一：世界最大产值的LED产品公司(2009)表二：世界最大芯片产量的LED 公司(2010)

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