详细说明
TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的延迟时间为200 ns，光电耦合器之间的传输延迟时间差(PDD*) 为90 ns(上述延迟时间均为工作温度范围内的保证值), 能够减少停滞时间，提高变频电路的效率。该产品采用的是使用寿命非常长的新型LED，因此其工作温度范围较大，在-40°C到125°C之间。该产品适用于许多设备，包括极热环境下使用的工业设备、家用光电动力系统、数字家用电器、测量装置和控制装置。封装： DIP-8包装： 50PCS/TUBETLP352参数：电源电压：15 to 30 V电源电流：3.0mA温度：-40 to 125 ℃传播延迟时间：0.2隔离电压：3750VrmsPKG(包装)：DIP8TLP352特征：传输延迟时间: tpLH,tpHL=200ns ()耦合器之间的传输延迟时间差(PDD) = ±90ns ()工作温度范围大: Topr = ?40°C到125°C峰值输出电流: IOP = ±2.5A ()低输入电流: IFHL = 5mA ()耐压: BVs = 3750Vrms (最小)TLP352应用:交流伺服放大器功率调节器通用变频器IH(感应加热)

• QQ图片20190920090524.png