LEDLED照明照明网讯 随着guo jia技术发明一等奖的公布，晶能光电的硅衬底技术引起各界的关注，本文通过专利检索，分析晶能光电硅衬底技术专利布局情况，一探究竟。专利检索日期：2016年1月13日。

　　本文以“申请人：晶能光电 or LATTIC EPOWER”为关键词检索，获得全球范围内晶能光电相关专利299项，161个专利族，涉及到衬底、外延、芯片结构和工艺、封装以及显示屏应用。

　　1.专利布局在2008年达到高峰期，在国内和国外申请专利

　　晶能光电的硅衬底相关的第一批硅衬底相关的专利申请，是由南昌大学2005年申请并转让到晶能光电，主要包括外延、芯片以及少量的封装专利，解决外延生长以及光电性能的问题。2006-2008年，是晶能光电专利申请的高峰期，在最初技术研发的基础上，诞生晶能光电的主要基础专利，并在美国、欧洲等地开展同族专利申请，在外延材料、结构、工艺等各个层级申请较多的专利，集成芯片、芯片电极等领域也有专利申请。2009年，大部分专利申请为封装材料以及生产工艺辅助检测、容器等周边设备。2010年以来，专利申请数量维持稳定，在外延芯片结构和工艺改进的基础上，开始出现较多的封装和应用类的专利。

　　中国是晶能光电主要专利布局guo jia，其次是美国和欧洲（如图1-2）。

　　从专利申请国别趋势上来看，2005-2008年，是专利申请以及国际布局的高峰年，在美国、韩国、德国等地均有一定数量的专利申请。经过2009年的转折，2011年以后，晶能光电开始在日本展开专利申请。

　　2.以发明专利为主，中国专利申请授权率超过70%

　　从专利类型上来看，晶能光电的专利以发明专利为主，仅围绕封装以及周边应用配件，申请部分的实用新型专利，整体专利质量较高。

　　根据图2-2，晶能光电的中国专利申请授权率较高，授权率超过70%。

　　3.围绕核心技术团队，展开研发和合作

　　图3-1是以晶能光电主要的共同专利申请人。其中主要的合作公司为shineon（beijing）(易美芯光科技有限公司)，主要的合作申请人包括江风益（南昌大学）、王立、方文卿等人员，与图3-2中的主要发明人相一致。围绕晶能光电、南昌大学的核心研发团队，晶能光电也逐渐扩大合作团队建设，以“江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号”地址检索，可以发现，有晶和照明、昌大光电、晶瑞光电等企业，均在硅衬底等相关的技术领域展开研发和生产。

　　4.围绕基础专利国际布局，获SORAA、LG公司引用

　　检索得到的161项专利族中，专利家族被引次数较多的如图4-1所示，其中主要专利均为2005-2007年所申请的外延以及芯片相关的基础专利，围绕基础专利，晶能光电展开国际专利布局。“CN200710104428.0获得在分割衬底上制造的LED照明器件的高质量边界的方法”专利族，在欧洲、德国、美国、奥地利等地均有同族专利申请，专利家族被引次数超过36次，被中村修二的Soraa公司29项专利申请时引用。

　　5.专利点评

　　厚积薄发。围绕硅衬底技术，从外延、芯片到封装的核心技术领域，多年来一直展开国际和国内专利布局，专利保护意识较高，且专利的质量较高。

　　以江风益、王立、方文卿等为主的核心研发团队较为稳定。

　　关注前沿技术。从2010年以后的专利申请来看，白光LED、蓝宝石衬底、高压芯片、倒装封装、晶圆级封装、图形化衬底等行业较为热门的领域，均有相关的专利申请。

　　逐步向产业链下游延伸。封装材料、荧光粉、陶瓷基板、显示屏等领域，陆续有专利产出。

　　技术研发获得国际关注。SORAA、LG、欧司朗、美光科技等，近年来均有关注并引用晶能光电早期的专利。

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