（文/国星光电照明事业部副总经理、照明研发部主任 刘宗源博士）
　　当今，以Si、Ge为代表的第一代LED照明材料和以GaAs、InP等为代表的第二代LED照明材料由于自身缺陷，逐渐不能满足人们的需求。Si的带隙较窄且为间接带隙，击穿电压较小，限制了其在光电子领域和高频大功率器件方面的应用；GaAs虽具有优良的光电子学和微电子学性能，但它的带隙较窄，且导热效率较低，限制了其在可见光、紫外光光电子器件等的应用。相比Si、GaAs等传统LED照明材料，以III族氮化物、SiC等材料为代表的第三代LED照明材料具有宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率、抗辐射等特性，适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成光电子器件。
　　紫外线光谱范围为100至400nm，一般细分为三段：UV-A长波紫外波段(315至400nm)、UV-B中波紫外波段(280至315nm)、UV-C短波紫外波段（200至280nm）及超深紫外波段（100至200nm）。由于紫外线相比可见光具有更短的波长，当波长减小到365nm时，已需要禁带宽度大于3.4eV的直接带隙LED照明材料作为器件的基础材料。在目前的宽禁带LED照明材料中，AlGaN是实现该波段光源的理想材料，其发光波长可以覆盖210-365nm的紫外光（如图所示）。因此，AlGaN基的紫外LED是最理想的紫外光替代光源。
　　一些国外的研究团队很早就开始了对近紫外LED的研究。1997年，Philips的P.M.Mensz制备出了发光波长为385nm和412nm的近紫外LED，其光输出功率为1.5mW。次年，日亚公司的MukaiT等人在LED的量子阱区域采用InGaN/AlGaN结构，成功研制出输出功率为5mW的紫外LED，其发光波长为371nm，外量子效率(EQE)达到7.5%。日本光电子实验室在2001年采用MOPVE侧向外延生长技术（LEO），研制出发光波长为382nm，在20mA注入电流下的光输出功率为15.6mW的近紫外LED，其外量子效率达到24%；2002年，日本的Motokazu Yamada等人研制的400nm近紫外LED，光输出功率在20mA注入电流下为22mW，外量子效率更是达到35.5%；2005年，D.S.Wuu等人在图形蓝宝石衬底上生长的410nm近紫外LED，在20mA注入电流下，其光功率和外量子效率分别为10.4mW和14.1%；2008年，日本长州公司的H Sakuta等人报导的405nm近紫外LED，20mA下的外量子效率达到46.7%。