中村修二博士与他在圣塔芭芭拉大学的同事Steven博士等人，近日拜访了台湾地区。这位新科诺贝尔物理奖得主素来以快人快语风格闻名，在他这次于春季拜访亚洲的行程中，在台湾地区除了拜访晶电等LED台厂外，也在4月9日于交通大学进行专题演讲。
中村修二此行分享了他在研发蓝光LED与后续在LED方面的心路历程与成果，以及提供他对未来LED产业、LD产业发展的分析洞见。LED网这次受到晶电董事长李秉杰与交通大学的协助，也很顺利地访问到了中村修二先生，期许他一些观点与想法，能够为LED产业带来更多的光明。

晶电董事长李秉杰与诺贝尔物理奖得主中村修二
研究要保持热情，设法获得研究上的自由
面对工程师、科学家面临的研究持续力问题，与中村同样属于圣塔芭芭拉大学且是研究伙伴的Steven Denbaars博士指出，做研究要保持热情，当新技术产生冲击时，要想一些自己创造的新东西能否在不同的应用上出现。他强调，获得研究上的自由很重要，就能够去做自己想做的研究。他的老师是著名的黄光LED发明人George Craford，有和他讨论过这个议题，Steven Denbaars后来决定去大学做更自由的研究，这和在产业界做研究确实是有不同。
中村给工程师们一个重要的建议，“想十倍的不同，实际上就可以有一小步的不同，对业界是正面的成果。”
对此，晶电董事长李秉杰也有感而发，晶电过去以来花了超过300亿元新台币（折合人民币约59.82亿元）的资金去做LED研发，尽管是商业化的研究成果为主，也符合许多客户的期待，但这些好的成果，有的时候也会碰到剽窃产品结构的竞争对手，这也是一种问题。
LED与LD进入次世代的技术趋势发展，押注GaN on GaN与LD
中村修二指出，近十年他都是专住在氮化镓（GaN）基板的长晶技术，专住在这个领域的能量，未来会开花结果。他认为GaN on (X)的各种组合中，预期未来GaN on GaN（氮化镓基板生长氮化镓）会是有重大突破的地方，在上面长的LD、LED，都会有比以往更好的效率和成果。只是，目前的GaN基板成本还是很高，远高出蓝宝石基板不少，期望未来的研究能够更降低成本。
目前蓝宝石基板生长氮化镓这个领域的LED发展，在效率上已经逐渐来到了成长瓶颈，实际应用上还有一些需要克服的问题，比方说蓝宝石LED一个概略的理论比喻是产生 70%光，30% 热，但是激光LD却可以产生 70% 光，而没有太多的热产生。因此，他预期GaN on GaN在各方合作的情况下，很快地会有重大突破发生。
他和Steven Denbaars博士都不看好GaN on Si (硅基板生长氮化镓)在照明LED方面的发展，认为不应该浪费时间在上面。但对于透过GaN on Si产生的垂直电源装置之前景，也表达看好的态度，预期给智能型手机充电、其他电力相关的应用，这个领域的发展会很光明。

Steven Denbaars博士
至于LD方面，中村认为，LD激光照明的效率与质量会比较好，目前成本还很高，但中村的团队已经在努力降低成本。在指向性高的需求如车用头灯，已经有市场上的实际成果可以见到。他也指出，像是大陆厂商三安等等，也有很多厂商的技术已经追上来，因此要继续前进的话，关注未来的技术是相当重要的，GaN on GaN、LD等等都是可以选择的研发路线。