难！这是所有了解LED技术的人对在硅衬底上生长LED材料的第一反应。难在哪儿？在2004年以前，30多年的研究并没有解决硅衬底和氮化镓材料的热失配和晶格失配的难题，人们无法得到高质量的氮化镓发光薄膜。
好！硅衬底LED技术路线是LED业界几十年梦寐以求的技术路线。好在哪儿？如果能突破硅衬底LED技术难题，实现大尺寸大规模生产，LED将成为另一个IC行业，真正的LED照明时代将来临。
图：2010-2015年中国LED外延芯片产值规模及预测
LED业者对它津津乐道，但却都停留在研究室的试水阶段。直到2004年，在南昌大学的一间简陋的实验室里，硅衬底LED蓝光芯片率先破茧而出，硅衬底LED技术实现了里程碑意义的零的突破。
技术有特点，决定细分市场的领先地位
硅衬底LED芯片是垂直结构，电流扩散均匀，单位面积可承载的电流密度大，加之硅衬底的散热效果远好于蓝宝石衬底，可靠性好，适合制造大功率LED产品，可广泛应用于可靠性要求高的路灯、隧道灯、投光灯等户外照明领域。
并且其芯片是单电极，芯片尺寸可以做到很小，因为少打一根电极线，在数码产品、高密度户内显示屏等领域具有可靠性高的明显优势，众多德国品牌汽车的仪表盘都是使用硅衬底LED芯片做背光。
硅衬底LED芯片是倒装剥离芯片，单面发光，因而产品具有出光方向容易管控的特点，在汽车大灯、探照灯、自行车灯等领域具有明显优势。
其单面发光的特点决定了其出光均匀、质量好，因而在对光的质量要求高的产品，例如手机闪光灯、监控设施的补光灯、用于画廊、珠宝店、蔬菜店等场所的高档射灯等，用硅衬底LED芯片是最好的选择。
在以上这些领域，市场容量每年至少有200亿美元，并且逐步增长，硅衬底LED产品在此类细分市场都有较强的竞争优势。
专利有保障，未来抵御国际巨头专利诉讼的“护身符”
如果说蓝光DVD受制于他国的教训没有警醒我们，那么重蹈覆辙的光伏之殇应该使我们醍醐灌顶。国外LED大厂放水养鱼的功夫已炉火纯青，随着国内LED规模的日益壮大，想要避免国外LED巨头的专利围剿，恐怕是“难于上青天”。
技术创新是LED企业市场竞争的筹码，那么专利就是技术创新的“护身符”。从技术取得突破开始，以硅衬底LED技术为核心，覆盖外延生长、芯片制造、封装及应用的专利网在欧、美、韩、日等LED发达国家及地区铺开。
拥有自身核心专利是LED上游企业长驱海内外市场的利器，也是未来抵御国际巨头专利诉讼的护身符。
支撑平台搭建，硅衬底LED技术创新的加速器
尽管国内的LED企业都深谙技术创新的重要性，但技术创新需要研发平台、孵化平台、资金平台、人才平台等系统性支撑。
显然，硅衬底LED技术的魅力吸引了众多优秀的海内外人才，已经拥有了科技部批准的国家硅基LED工程技术研究中心和国家发改委批复固态光源国家地方联合工程技术中心这两大实力雄厚的技术平台，形成了外延材料、芯片、封装和应用研发的垂直一体化，加之，硅衬底LED产业链企业联合国内多家著名的高校和科研院所，为硅衬底LED技术的创新打造了强有力的产学研平台和技术孵化平台。
同时，国际风险投资基金和国内资金平台，如南昌主要投资光电类企业的洪城资本基金，双流驱动保证高投入和高产出。
LED产业大发展，期待大尺寸硅衬底LED技术的成熟
在没有出现其他颠覆性技术之前，硅衬底LED技术是降低LED成本最有效途径之一。其中最重要的手段就是用6吋及以上的大尺寸衬底生长外延材料。首先硅衬底材料便宜，尤其是随着尺寸的增大，单位面积的价格不断降低；
其次，由于外圈效应，单位面积的有效芯片颗数大大增加。
再次，集成电路中的大尺寸晶圆制造技术已非常成熟，大尺寸硅衬底LED芯片技术可借鉴集成电路的工艺技术和成熟产线，实现自动化大规模生产，6吋的生产效率和目前的2吋相比可提升11-12倍，有效降低芯片生产成本。
成本的大幅下降将会促使LED照明更快地普及。
图：LED通用照明的HAITZE定律
目前，Cree、Osram、Samsung、Lumileds、Toshiba、Epistar及美国Micron等国际一线厂商都在大手笔投入硅衬底LED技术的研发，以期在硅衬底上实现技术突破。其释放出的讯号也许可以减少很多人对硅衬底LED技术的质疑。
可以预见的是，硅衬底LED技术路线的阵营将会越来越大。
10年的时间里，全球LED技术遵循着“HAITZE”定律，发生了翻天覆地的变化，LED光效由100lm/W提升到260lm/W（实验值），越来越接近LED的光效极限。
当光效不再是追求的唯一目标时，不管是蓝宝石LED技术、碳化硅LED技术还是硅衬底LED技术，它们之间的竞争才是真正亮剑时。

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