本帖最后由 lurunhua 于 2010-11-4 10:30 编辑

由于最近也在学ANSYS散热分析这个模块，在热密度时候我就有瓶颈了，后来看了很多人说的LED电转成热的功率问题，大家也只是给了一些网咯上给的80%等粗略的说发，当然更多的有90%-80% 60%-80%等根本没依据的答案，而且大家还不知道怎么取舍。
因此现在我给出我最近翻阅了很多资料的我认为很有理论依据的公式给大家，如果有不同意见的请提出来，毕竟我自己也是初学者，同时大家采纳的多的话，望大家顶我，并给我加精。。。。。。如下：
刚开始先连接下LED芯片的概念，（我想大家应该很多都知道）
名词解释
1. 半导体：导电性能介于导体与绝缘体之间的称半导体.
2. 二极管：是一种半导体两极(两端)器件最基本的特性是单向导通.
3. LED：是发光二极管的缩写,英文全称为Light-emitting-Diode.
4. 亮度(IV)：每平方米表面沿法线方向产生一坎德拉的光强，其单位(mcd).
5. IR：指芯片处于反向电压时的漏电电流，单位(μA).
6. VF：驱动电路中，驱动发光二极管发光的电压，单位(V).
7. Tg点：即玻璃转移温度(Glass transion temperatrare)，当高分子材料由硬而脆
　 的玻璃之为Tg.状态转变成软而轫的橡胶状态时其温度范围.
8. 发光二极管：是一种具有两个电极端子，在电子间施加电压，通过电流会立即发光
　 的光电组件，是用PN结把电能转换成光能的半导体器件.

二、LED的光电参数
1. If—Forward Current 　 正向电流 单位：mA (毫安)
2. Vf—Forward Voltage 　 正向电压 单位：V (伏)
3. Ir—Reverse Current 　 反向电流 单位：μA (微安)
4. Vr—Reverse Voltage 　 反向电压 单位：V (伏)
5. Vz—Reverse Through Voltage　 反向击穿电压 单位：V (伏)
6. Wd—Dominant Wavelength 　 主波长 单位：nm (纳米)
7. Iv—Luminous Intensny 　 发光强度 单位：mcd(毫坎德拉)
8. Po—Radiant Power 　 发射功率 单位：mW (毫瓦特)
9. VF—Forward Voltage 作用是规定供给LED的电压.
10.IR—Reverse Current 避免LED在反向电源供应器中漏电流过大而烧毁.
11.λP-Wavelength at peak emission 作用是光发射接收换组匹配用.波峰长.
12.Δλ-Speeuaal line half-width 作用是代表光的色纯度，波宽.
13.λd 作用是代表人眼所看到光线的光泽主波长.注测试机测出的值λd
这其中有一个我非常关注的参数就是 PO参数（可以问LED供应商拿到，当然了如果他能直接给封装后的PO更加好）， 这个值就是裸露的芯片电转光的功率。
下面还要考虑下封装
封装中 有两项是要考虑的
1、透镜的出光率ψ，一般的LED出光率可以达到99%
2、荧光粉的转换效率φ，一般LED的荧光粉转换效率可以达到95%以上
由此我给的公式为：
P（电热热转换功率）=P（LED总功率）-ψ*φ*PO
下面就是大家的砖头了，来拍吧！！！
下面的附件是我找的资料，比较权威的，。。。。。。。。

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