4年LED研发技术老鸟研发经验分享
本人做LED也有些年头了,比较庆幸,刚毕业出来实习,第一家就是做LED的,然后从此就没离开过这个行业,从LED成品,到LED电源。现在证明我那时并没有选错,虽说LED现在竞争激烈,没多少利润,但是做LED的工程很吃香,开此贴是为了和大家分享下这几年的经验,从电源研发到EMI整改认证到做成品灯。说是分享,大家可以发表不同的意见,毕竟比起做了十几、二十年的工程来说,我只是班门弄斧。由于刚开年,有很多方案要做,只能抽空写下。我也要学学源源,静静两位美女的想法,后面跟着几贴我在继续,我要求不高,大家给个面子跟个几贴就行,先说下EMI整改吧,毕竟对刚接触整改的年轻工程来说,最头痛的就是辐射整改。先上图


上PCB,对于emi来说,走线就是灵魂,所以为什么有的人用一级滤波就能过,并且辐射余量很大,有些人加了二级滤波都过不了。由于板子要内置,有尺寸要求,并且还要有可控硅调光功能,所以很头痛,这就是为什么会超那么多,因为我省了很多EMI元件,说实话,这版PCB我不是很满意


大家看过超标的图没,垂直30M的地方超,很多工程都卡在30M-50M的地方,绝招来了。MOS管S极串入磁珠,可以有效减少30M位置。亲们试试哦,很有效!
MOS管DS加入吸收,很多人都知道,能有效减少辐射。所以我赶紧加入47PF/1KV电容(实际47PF-100PF都行,在能过辐射的条件下,尽量小,因为这个吸收电容有损耗,会使MOS管发热严重,并降低效率,不太建议用100PF,想效果明显的,最好用RC吸收)
图为下


EMI和效率之间的平衡问题也是楼主最头疼的问题,特别是面对既有效率要求,又要过EMI的客户,往往EMI过了,但是效率达不到要求,之前做了款L6562单PFC,要过能效6,整改前92的效率,让楼主着实兴奋了一阵,结果整改完,才85的效率,让楼主头疼不已。对于灌胶,当然灌胶前,全部余量要在6DB以上,特别是30-50M,200M以后灌胶影响很大,我处理的办法是铝壳子接地,当然灌胶影响也会有,但没有接地前影响大,对于大功率,在板子多个地方和地之间加入Y电容,也是不错的方法



因为空间有限,输出共模是加不上了,如果输出加入50---100UH的共模线圈辐射应该有很大改善。所以楼主只得从变压器入手,从新打样了变压器,绕法为屏蔽-初级-次级-初级-VCC-屏蔽,因变压器为EE13,屏蔽只得用线绕,如果用铜箔,屏蔽效果会更明显。鉴于100M以后的地方超太多,于是适当的降低了开关频率,之前为80K,现改为50K,效率有所提升,但变压器温度也上升了,裸机室温老化为50多度,还在接受范围,这就是之前楼主为什么用80K的频率,而不是50K





上最终整改好的辐射图


是30W

灌胶前
灌胶前

  • 2014022410195732316.jpg
  • 2014022410194729423.jpg
  • 201402241018194278.jpg
  • 2014022410175114796.jpg
  • 2014022410171091707.jpg
  • 201402241017175188.jpg
  • 2014022410154160359.jpg
  • 2014022410151743607.jpg
  • 201402241021220432.jpg
  • 20140224102494703.jpg
  • 201402249582065094.jpg
  • 20140224958563526.jpg
  • 201402249553826364.jpg
  • 201402249551878857.jpg

回复数 30 切换时间排序
需登录后查阅, 加载中......

目前注册实行审核/邀请制,欢迎灯友邀请好友注册,下载币奖励
邀请注册

为什么注册要审核

目前新版公测中,有任何BUG问题都可以联系我们
提交问题

或如无法回复,请访问此地址
提交问题