抛光的最终目标厚度是在测厚仪上测得的，测厚仪的误差应该不会那么大~~~我们测得的抛光厚度差能控制在3微米内，不知道会不会是衬底长外延的那一面有缺陷啊~~~正在求解中，暂未测得那么大的误差！
在研磨的时候不是先量测晶片本身的厚度吗？你把相差在5um的晶片放在同一个陶瓷盘上面，固完片之后量测的时候如果发现厚度相差10um以上的就卸掉，10个以下就作为一盘进行研磨。这样研磨出来的均匀性会控制在10um以下。可以尝试下。
一般情况下，都能控制在10微米以下，我们基本上在5微米左右，做出来的片子仍会出现20微米以上的误差。研磨抛光完的片子测量时没测到过差这么大的~~~~这个差是从哪来的？郁闷！
上蜡厚度差能控制在5微米以内，抛光结束在陶瓷盘上测得的表面厚度能控制在4微米内，但是分选后会发现有些管芯厚度差别很大，有成规模的趋向。这种问题咋样能够控制下来~~~敬请指点小弟一二，不胜感谢！