大功率芯片技术专注于如何提升出光效率来提升芯片的发光效率，主要技术途径和发展状况阐述如下：
一：改变芯片外形的技术
当发射点处于球的中心处时，球形芯片可以获得最佳的出光效率。改变芯片几何形状来提升出光效率的想法早在60年代就用于二极管芯片，但由于成本原因一直无法实用。在实际应用中，往往是制作特殊形状的芯片来提高侧向出光的利用效率，也可以在发光区底部(正面出光)或者外延层材料(背面出光)进行特殊的几何规格设计，并在适当的区域涂覆高防反射层薄膜，来提高芯片的侧向出光利用率。
1999年HP公司开发了倒金字塔形AlInGaP芯片并达到商用的目标，TIP结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收(有源区吸收和自由截流子吸收等)引起的光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦(100mA，610nm)，外量子效率更达到55%(650nm)，而面朝下的倒装结构使P-N结更接近热沉，改善了散热特性，提高了芯片寿命。 上海昂帕微电子技术有限公司（EnPow Microelectronics)是一家从事电源管理芯片设计和销售的公司。公司以科技创新为驱动力，致力于为LED照明市场提供超高性价比的电源驱动IC芯片。团队成员不仅拥有十年以上在硅谷国际一流芯片公司从事研发、工艺及应用的经历和积累，也有在中国多年的企业经营、管理和市场开拓的能力和经验，且得到了中科院微电子研究所及中科院上海微系统所的大力扶持。公司目前在美国硅谷有芯片设计和产品研发中心，在上海有应用服务中心以及深圳办事处。