LED芯片知识－什么是MB、GB、TS、AS芯片
一、MB芯片定义与特点
定义﹕MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品。
特点﹕
1: 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。
2﹕通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
5: 尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB
定义﹕GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
定义﹕MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品。
特点﹕
1: 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。
2﹕通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
5: 尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB
定义﹕GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
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