一.IQE、LEE与EQE定义
　　首先给出内量子效率(IQE：Internal Quantum Efficiency )、光析出率(LEE：Light Extraction Efficiency)与外量子效率(EQE：External Quantum Efficiency)参数的定义与表达如下：
　　IQE=单位时间内有源层发射的光子数/单位时间内注入到有源层的电子子数=(Pint/(hv))/(I/e) (1.1)
　　LEE=单位时间内出射到空间的光子数/单位时间内从有源层内出射的光子数=(P/(hv))/=(Pint/(hv)) (1.2)
　　EQE=单位时间内出射到空间的光子数/单位时间内注入到有源层的电子子数=(P/(hv))/(I/e)=IQE*LEE (1.3)
　　其中，Pint是有源区内发射出的光功率，I为注入电流，P是发射到自由空间的光功率。内量子效率表征了LED有源区将注入的电能转化为光能的能力;光提取效率表征了LED有源区将产生的光能发射出去的能力;外量子效率表征了LED将电能转化为外界可见光能的能力，外量子效率越高则发光效率越高。对于理想LED器件，此三个参数均为1，即可将注入的电能完全转化为外界可见的光能。
　　二.影响IQE、LEE与EQE因素
　　外延层中的缺陷限制了LED的IQE。从发光二极管的工作原理我们得知，发光二极管是靠电子与空穴的辐射复合发光。但电子与空穴还存在另外一种复合机制——非辐射复合，见图1。当电子与空穴发生非辐射复合时，多余的能量以声子的形式传递给附近的原子，增加了原子的动能。宏观上讲，使得LED温度升高。
　　非辐射复合与外延层中的缺陷有关。当外延层中存在缺陷时，在缺陷处会形成复合中心，在该复合中心处更容易发生非辐射复合。缺陷密度越高，此种复合中心也越多，则会有更多的复合载流子发生非辐射复合。因此，在缺陷集中地区域，发光强度较弱。而对LED的LEE限制因素是材料的折射率
浅析LED三要素：IQE、LEE与EQE　　
浅析LED三要素：IQE、LEE与EQE


图1

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