赛灵思发布后20nm技术战略，“凭借FPGA、SoC、三维LSI三大支柱一决胜负”
美国赛灵思公司于2012年11月13日（当地时间）发布了该公司20nm工艺以后的技术战略。该公司FPGA平台营销副总裁Tim Erjavec说道，“将把28nm工艺中确立的FPGA、SoC、三维LSI技术作为三大支柱，在20nm以后的工艺中以此为核心一决胜负”。
这里的SoC是指该公司推出的嵌入了ARM内核的“Zynq系列” FPGA，三维LSI技术是指在硅转接板上配备多枚芯片的“堆叠硅片互联技术（SSIT）”。Erjavec表示，这些技术“是实现超摩尔法则的高性能化、低耗电化和高功能化的关键”。在28nm工艺阶段，该公司对通常的FPGA以及这些技术“进行了相当大的投资” ，在20nm以后工艺，沿用这些成绩斐然的技术“可以降低尖端技术的风险”。
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赛灵思FPGA平台营销副总裁Tim Erjavec （点击放大） 以三大支柱为轴心，推进“20nm SoC”、“14～16nm FinFET”、“10nm”这些微细化（点击放大）
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采用20nm工艺的三维LSI技术可使芯片间带宽增加到过去的5倍（点击放大） 三维LSI技术“SSIT”使用的硅转接板（图中转接板适用于28nm工艺产品）。（点击放大）
技术详情方面，该公司将首次将20nm工艺的三维LSI技术应用于Wide I/O DRAM。通过改进使用硅转接板的芯片间连接技术，使芯片间的带宽增加到过去的5倍。而且，在28nm工艺产品中配备的28Gbit/秒的收发器也将在20nm工艺产品中强化到56Gbit/秒。20nm工艺三维LSI技术能够实现的电路规模预计将提高到采用28nm工艺时的约1.5倍。
工艺技术方面，该公司虽然没有透露具体的量产时间，但表示20nm工艺将使用台积电的“20nm SoC”。并且还提到了“14～16nm FinFET”、“10nm”。另外，20nm工艺产品的具体名称尚未确定，目前暂时称为“8系列”（28nm工艺为7系列）。
该公司在28nm工艺产品开发中，导入了同时支持FPGA、SoC、三维LSI的新的设计环境“Vivado”。对于20nm以后工艺，该公司将对这种设计环境进行改进，使其能够继续沿用。
这里的SoC是指该公司推出的嵌入了ARM内核的“Zynq系列” FPGA，三维LSI技术是指在硅转接板上配备多枚芯片的“堆叠硅片互联技术（SSIT）”。Erjavec表示，这些技术“是实现超摩尔法则的高性能化、低耗电化和高功能化的关键”。在28nm工艺阶段，该公司对通常的FPGA以及这些技术“进行了相当大的投资” ，在20nm以后工艺，沿用这些成绩斐然的技术“可以降低尖端技术的风险”。
赛灵思FPGA平台营销副总裁Tim Erjavec （点击放大） 以三大支柱为轴心，推进“20nm SoC”、“14～16nm FinFET”、“10nm”这些微细化（点击放大）
采用20nm工艺的三维LSI技术可使芯片间带宽增加到过去的5倍（点击放大） 三维LSI技术“SSIT”使用的硅转接板（图中转接板适用于28nm工艺产品）。（点击放大）
技术详情方面，该公司将首次将20nm工艺的三维LSI技术应用于Wide I/O DRAM。通过改进使用硅转接板的芯片间连接技术，使芯片间的带宽增加到过去的5倍。而且，在28nm工艺产品中配备的28Gbit/秒的收发器也将在20nm工艺产品中强化到56Gbit/秒。20nm工艺三维LSI技术能够实现的电路规模预计将提高到采用28nm工艺时的约1.5倍。
工艺技术方面，该公司虽然没有透露具体的量产时间，但表示20nm工艺将使用台积电的“20nm SoC”。并且还提到了“14～16nm FinFET”、“10nm”。另外，20nm工艺产品的具体名称尚未确定，目前暂时称为“8系列”（28nm工艺为7系列）。
该公司在28nm工艺产品开发中，导入了同时支持FPGA、SoC、三维LSI的新的设计环境“Vivado”。对于20nm以后工艺，该公司将对这种设计环境进行改进，使其能够继续沿用。
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