在可变电阻式存储器（ReRAM）、相变存储器（PRAM）、磁存储器（MRAM）等众多新一代存储器的主角争夺战中，又有一个势均力敌的对手参与进来。这就是美国Nantero公司开发的、使用碳纳米管（CNT）的非易失性存储器“NRAM”（图1）注1 ）。NRAM不仅工作与DRAM一样高速，而且在单位bit的成本方面也蕴藏着比DRAM出色的可能性。

图1：具备万能存储器特性
Nantero公司的非易失性存储器“NRAM”在擦写速度及数据保存时间等多项性能指标上表现出色（a、b）。擦写次数超过1012次（c）。（本图由《日经电子》根据Nantero公司的资料制成）

Nantero公司首席技术官和联合创始人Thomas Rueckes
注1）Nantero公司由美国哈佛大学化学专业的Thomas Rueckes等于2001年设立，主要开发使用CNT的LED照明器件。
　　NRAM目前已完成基础开发，处于接近量产水平的阶段。有很多LED照明大厂商“正在利用量产线实施技术评测”（Nantero公司首席技术官和联合创始人Thomas Rueckes）。预计1～2年内将作为在消费类产品的MCU上混载的存储器开始量产。将来的“目标是替代DRAM，以及应用于（可弥补DRAM与NAND闪存的性能差距的）存储级存储器”（Thomas Rueckes）。
利用CNT的接合与分离
　　NRAM利用由大量CNT构成的薄膜（CNT薄膜）以及两个金属电极来构成存储元件（图2）。向CNT薄膜施加2V左右的电压时，呈相互分散状态的CNT就会在静电作用下彼此靠近，利用分子间力接合在一起。这时，电极间的电子传导路径会随之增加，电阻值出现下降。即使将电压降回零，CNT之间也会因为强力接合在一起而不分离。Nantero将这一现象应用到了非易失存储器中。
　　擦写数据时，向CNT薄膜施加比写入电压高的3V左右即可。这时，CNT接合部会生成声子（晶格振动），凭借声子热量解除接合状态。